温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种可用作挡片或控片的晶片制备方法及晶片，通过提供衬底，所述衬底包括Si3N4陶瓷衬底；于所述衬底上形成覆盖层，所述覆盖层包裹所述衬底、并覆盖所述衬底的全部表面。本发明形成的晶片具有衬底和覆盖层的复合结构，保证了该晶片能够作为挡片...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。