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本发明提供了一种高K介质层、半导体器件及其形成方法，包括：在衬底上形成一遮蔽层；接着，在所述遮蔽层上形成一高K介质层和一氧吸收层；以及，执行热退火工艺。在本发明提供的高K介质层的形成方法中，通过遮蔽层对衬底进行保护避免衬底被氧化；并且，在制...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。