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本发明公开了一种低损耗非晶、纳米晶磁片及其制备方法，在频率为100KHz时，其磁导率实部大于1000，磁导率虚部小于200，主要工艺步骤包含脆化、贴合、碎化、钝化、烘干和模切。本发明的优点是利用钝化工艺，可以在非晶、纳米晶碎片的表面生成高电...
该专利属于苏州世诺新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州世诺新材料科技有限公司授权不得商用。

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