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本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，包括第一导电类型硅衬底和第一导电类型硅外延层，在第一导电类型硅外延层内设有沟槽，在沟槽内设有场氧层、屏蔽栅、栅极及栅氧层，相邻的沟槽间设有第二导电类型体区及第一导电...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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