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本实用新型揭示了一种IGBT器件，半导体基板中心区设有元胞区，半导体基板的第一主面设有包围环绕元胞区的终端保护区，半导体基板的第二主面上方设有第二导电类型集电极区，第二导电类型集电极区的上方设有第一导电类型场终止层，元胞区内的元胞设有沟槽结...
该专利属于安徽赛腾微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽赛腾微电子有限公司授权不得商用。

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