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本发明涉及一种具有超薄GaAs发射层的变Al组分透射式GaAlAs光电阴极，该阴极自下而上由Corning 7056#玻璃基底、SiO2保护层、Si3N4增透层、Ga1‑x1Alx1As窗口层、变Al组分Ga1‑x2Alx2As吸收层、超薄...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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