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本发明涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备衬底、第1积层体、柱状部、第2绝缘膜及第2积层体。所述第1积层体设置在所述衬底上的第1区域内。所述第2绝缘膜设置在所述衬底上的第2区域内，且在所述第1积层体的积层方向上具...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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