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一种基于GaN‑LED二次外延ITO的“人”字形波脊结构的SLD器件，其中，包括蓝宝石衬底和依次设在蓝宝石衬底上的u‑GaN缓冲层、Al‑GaN层、n‑GaN层，n‑GaN层上设有第一台阶结构和第二台阶结构，第一台阶结构包括设在n‑GaN层...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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