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本发明公开了一种选择性分离铟的吸附材料，所述吸附材料包括基质以及在基质表面修饰的能于铟离子配位的功能单体。本发明还公开了一种选择性分离铟的吸附材料的制备方法，包括如下步骤：1)在二氧化硅表面修饰羧基，标记为SG‑COOH；2)将硫酸铟溶解于...
该专利属于重庆科技学院所有，仅供学习研究参考，未经过重庆科技学院授权不得商用。

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