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本发明公开了一种高介电常数的纳米叠层介电薄膜及其制备方法，属于介电薄膜材料技术领域。本发明通过ALD沉积的方法，控制生长的工艺参数，把两种本身介电常数都很低的材料以纳米叠层的形式组合起来，利用界面处的电荷极化效应，可以获得介电常数几十倍的提...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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