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具有AL(1-X)SIXO栅极绝缘体的增强模式III-氮化物器件制造技术
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下载具有AL(1-X)SIXO栅极绝缘体的增强模式III-氮化物器件的技术资料
文档序号:19076563
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一种晶体管,包括:III‑N沟道层;在所述III‑N沟道层上的III‑N势垒层;源极接触和漏极接触,所述源极接触和所述漏极接触电耦合至所述III‑N沟道层;在所述III‑N势垒层上的绝缘体层;部分地在所述绝缘体层上并且部分地在所述III‑N...
该专利属于创世舫电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过创世舫电子有限公司授权不得商用。
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