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本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底的制备方法。本发明包括首先清洗用于沉积样品的Si衬底,然后将衬底放置在样品架上,样品架与靶表面平行并且相距55mm。当真空腔内本底气压低于6×10-6mbar时,通入流速为40sccm的混合气体,从而溅射...该专利属于杭州电子科技大学信息工程学院所有,仅供学习研究参考,未经过杭州电子科技大学信息工程学院授权不得商用。
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本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底的制备方法。本发明包括首先清洗用于沉积样品的Si衬底,然后将衬底放置在样品架上,样品架与靶表面平行并且相距55mm。当真空腔内本底气压低于6×10-6mbar时,通入流速为40sccm的混合气体,从而溅射...