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公开了一种MEMS器件，其中，包括具有第一空腔的衬底；第一牺牲层，位于衬底上；第一背极板层，位于第一牺牲层上，第一背极板层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一背极板层上；振膜层，位于第二牺牲层上，振膜层的至少一部分由第二牺牲层...
该专利属于杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。

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