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本发明涉及一种具有静态负微分电阻特性的太赫兹器件，包括绝缘衬底层、二维半导体导电层、绝缘保护层、穿透所述二维半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极和输出电极；所述绝缘刻槽包括第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽，所述第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽间隔设置，两者...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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