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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，多量子阱层包括交替层叠的n个量子阱和(n+1)个量子垒，每个量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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