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本发明涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。由于该屏蔽栅场效应晶体管的制造方法中，在完成沟槽底部的第一次屏蔽栅掺杂多晶硅淀积后，刻蚀减薄了屏蔽栅侧壁氧化层，再进行第二次屏蔽栅掺杂多晶硅淀积，因此利用该方法形成的屏蔽栅场...
该专利属于张帅;黄昕所有，仅供学习研究参考，未经过张帅;黄昕授权不得商用。

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