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本发明公开了一种CMP工艺的控制方法及其控制系统，所述CMP工艺包括对晶圆中介质层和位于所述介质层下方的研磨阻挡层的研磨过程，所述控制方法通过引入一个研磨量修正值△d＝(D0‑D2‑D1)*k，其中，D0为所述研磨阻挡层的初始厚度，D2为研...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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