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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一互连结构，所述第一介质层暴露出所述第一互连结构的顶部表面；采用原子层沉积工艺在所述第一介质层和第一互连结构的顶部表面形成第一停止层；采用物...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。