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一种对半导体元件进行超声键合的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将第一半导体元件的多个第一导电结构的表面与第二半导体元件的多个第二导电结构的相应表面对准；以及(b)将所示第一导电结构中的若干个导电结构超声键合至所述第二导电结构中相应的若干个...
该专利属于库利克和索夫工业公司所有，仅供学习研究参考，未经过库利克和索夫工业公司授权不得商用。

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