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本发明公开了一种局域电场增强忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括：下电极、功能层和上电极，所述功能层夹在上电极和下电极之间形成三明治结构，所述下电极上侧具有中轴对称的矩形突起；所述上电极下侧与所述下电极形状互补。本发明与现有技术相比，利用纳米...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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