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本发明公开了一种基于横向外延过生长的GaN超级结二极管制作方法，主要解决现有技术不能达到预期击穿电压的问题。其自下而上包括阴极(1)、n型GaN衬底(2)、n型GaN外延层(3)和阳极(5)。其中在n型GaN外延层(3)中增设有Mg掺杂凹槽...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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