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本发明提供了一种闪存侧墙的形成方法，所述闪存侧墙的形成方法分三次刻蚀形成闪存器件的第二侧墙；形成的第二侧墙的高度小于现有技术中形成的第二侧墙的高度。第二侧墙高度减小，使得闪存字线顶部与第二侧墙的高度差增大，从而使闪存字线顶部与第二侧墙的高度...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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