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本发明涉及一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品，制备过程包括SiO2/Si衬底清洗、旋涂WO3无水乙醇分散液、衬底烘干处理、样品放置和二硫化钨薄膜生长，该方法通过旋涂WO3无水乙醇分散液使WO3前驱体均匀分散于衬...
该专利属于中国科学院重庆绿色智能技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院重庆绿色智能技术研究院授权不得商用。

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