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本发明涉及半导体功能材料技术领域，特别涉及一种非闪烁量子点及其制备方法。本发明将壳层生长温度控制在比核体生长温度高5～80℃，使壳层源各组分在高温条件下反应，促进壳层源各离子的相互渗透，消除壳层晶体内部的缺陷，进而得到晶相稳定的富集ZnSe...
该专利属于河南大学所有，仅供学习研究参考，未经过河南大学授权不得商用。

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