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本发明公开了一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，包括谐振腔，输入输出波导和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与谐振腔连接的金属柱A。带凹坑的波导低通谐波抑制器还包括与每一个金属柱A相对应的且只在顶部与谐振腔连接的金属柱B。金属柱B的横截面...
该专利属于电子科技大学中山学院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学中山学院授权不得商用。

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