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一种二极管器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。器件的元胞结构包括金属阴极、N+衬底和N‑外延层和金属阳极，N‑外延层的顶层两侧具有沟槽结构，沟槽结构自下而上包括P+半导体区和P型半导体Well区，P型半导体Well区与其上方的金属...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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