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本发明提出了一种单个器件尺寸相对较小的碳化硅门极可关断晶闸管器件阵列与其制备方法，该器件阵列是按照相应光刻版图进行光刻形成的至少包括两个碳化硅门极可关断晶闸管的阵列结构；GTO器件单元的门极位于器件单元的台面中央，并与位于器件单元的台面两侧...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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