温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，通过在所述半导体层中形成第一通孔，并在第一通孔中填充第一介质层；在刻蚀所述金属间介质层形成所述第二通孔时，所述第一通孔中的第一介质层作为刻蚀所述金属间介质层的着落层，即当刻蚀所述金属间介质层形成所述第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。