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本发明公开了一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜的制备方法，该方法首先在硅衬底表面制备绝热缓冲层；然后再绝热缓冲层表面制备二氧化硅绝缘层；最后在二氧化硅绝缘层表面制备热敏薄膜，即得到具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜。其中所述的绝热缓冲层是在硅片表面...
该专利属于中国科学院新疆理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院新疆理化技术研究所授权不得商用。

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