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本发明涉及一种基于晶圆键合工艺的圆片级封装MEMS芯片结构及其制造方法，MEMS芯片包括衬底层、器件层、盖帽层三层结构，三层结构键合在一起，形成一个可供器件层上的梳齿微结构移动的空腔结构；衬底层上布有电极图形，并采用共面电极实现空腔结构内的...
该专利属于北京航天控制仪器研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京航天控制仪器研究所授权不得商用。

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