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厦门乾照光电股份有限公司
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一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法技术
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文档序号:18946524
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本发明公开了一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法,在生长InGaN/GaN多量子阱有源层过程中,在InGaN量子阱层和与该InGaN量子阱层背离衬底一侧相邻的GaN量子垒层之间生长有插入层,通过插入层覆盖保护该InGaN量子阱层,...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。
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