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本发明提供一种深紫外发光二极管及其制备方法，该深紫外发光二极管包括衬底；位于衬底表面的第一半导体层；位于第一半导体层表面的不同位置的有源层和第三半导体层；位于有源层表面的第二半导体层；位于第二半导体层表面的第二电流扩展层；位于第三半导体层表...
该专利属于马鞍山杰生半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过马鞍山杰生半导体有限公司授权不得商用。

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