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本发明提供一种N型IBC电池及其制备方法，所述N型IBC电池的制备方法包括如下步骤：硅片双面抛光；硅片抛光面进行单面硼扩散，并用HF酸去除硼硅玻璃；前表面制绒；硅片前表面使用扩散炉进行磷扩散；用PECVD设备在硅片两面镀氮化硅；在硅片背表面...
该专利属于锦州华昌光伏科技有限公司;大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过锦州华昌光伏科技有限公司;大连理工大学授权不得商用。

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