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本发明提供一种耗尽型超结MOSFET器件及其制造方法，包括至少一个元胞结构，每个元胞结构包括衬底、第二掺杂类型阱区、两个第一掺杂类型重掺杂区、第二掺杂类型重掺杂区、第一掺杂类型轻掺杂耗尽型沟道区；交替排列的第二掺杂类型条和第一掺杂类型条；本...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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