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发明涉及半导体器件集成的技术领域，更具体地，涉及一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器及其制备方法。一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器，其中，从下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN缓冲层，GaN沟道层，Al...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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