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本发明公开一种制作半导体元件的方法。先提供一基底，具有一导电区域。再于导电区域上沉积一金属层，其中该金属层与导电区域的硅反应形成一第一硅化金属层，其具有一第一金属原子百分比。接着于金属层上沉积一氮化钛层。再于氮化钛层上沉积一介电盖层。再进行...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。