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本发明公开了一种双大马士革工艺方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有底层金属层的半导体衬底；步骤二、形成NDC层，将NDC层的厚度设置大于后续二次刻蚀的消耗量；步骤三、依次形成第一层间膜、沟槽刻蚀停止层和第二层间膜；步骤四、形成第一光刻胶图形...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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