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本申请是关于一种薄膜晶体管及其制造方法，涉及薄膜晶体管的技术领域。主要采用的技术方案为：薄膜晶体管制造方法，其包括：在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极层；在栅极层上涂覆光刻胶并光刻，对栅极层和栅极绝缘层进行图形化处理，得到栅极；剥离光...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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