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本发明公开一种调制薄膜激光感生电压的方法，属于功能薄膜材料领域。选取c轴倾斜的单晶压电材料（如SiO2、单晶Si或ZnS等）作为衬底，在单晶压电衬底上生长具有激光感生电压效应的外延薄膜（如在SiO2倾斜衬底上生长ZnO、CuAlO2或CuC...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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