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本发明公开了一种耐压双极晶体管及其制作方法，主要解决现有双极晶体管在EMP环境中抵抗能力弱、耐压值低的问题。其包括衬底(1)、重掺杂集电区(2)、外延层(3)、基区(4)、发射区(5)、SiO2层(6)、SiO2沟槽和通孔。重掺杂集电区为圆...
该专利属于西安建筑科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安建筑科技大学授权不得商用。

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