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本发明公开了一种新型高密度铁电存储器单元，该存储单元中包括衬底、下电极、存储功能层、左上电极、右上电极，每个存储器单元中包含有两个存储微单元。该存储单元中的存储功能层为铁电材料，基于隧穿电流或者漏电流的读取来识别存储状态，能实现非破坏性读取...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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