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本发明提供了一种闪存单元及半导体结构的制备方法，包括提供衬底，在所述衬底上依次形成栅极层、第一介质层及第二介质层；同时刻蚀所述连接区及所述外围区的第二介质层，在所述连接区形成第一开口并去除所述外围区的第二介质层。由于形成所述连接区的第一开口...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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