下载闪存单元及半导体结构的制备方法的技术资料

文档序号:18914948

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本发明提供了一种闪存单元及半导体结构的制备方法,包括提供衬底,在所述衬底上依次形成栅极层、第一介质层及第二介质层;同时刻蚀所述连接区及所述外围区的第二介质层,在所述连接区形成第一开口并去除所述外围区的第二介质层。由于形成所述连接区的第一开口...
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