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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，在基底中形成开口，并采用自停止刻蚀工艺在基底中形成空洞，从而实现半导体结构和基底的隔离。本发明实现了将SOI结构嵌入非SOI基底中，例如，可实现将射频结构以SOI结构的形式嵌入到体硅中，保证了射频结构...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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