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本发明公开了一种制备Ga掺杂ZnO薄膜的方法，步骤如下：将Zn(CH3COO)2、CN2H4S、氨水溶于蒸馏水中，将Ga(NO3)3溶于蒸馏水中，加入上述溶液中，用氨水调节pH为10.4‑10.8，放入石英片，在72‑78℃下沉积25‑27...
该专利属于启东祥瑞建设有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过启东祥瑞建设有限公司授权不得商用。

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