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本发明涉及一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法。本发明所述横向非对称光波导半导体激光器芯片，控制腐蚀发光区两侧不同深度，使发光区两侧横向光波导区域面积相同，从而改变发光区两侧的有效折射率，解决了光斑中暗纹和拖尾的现象；在生产中应...
该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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