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本发明公开了一种具有含虚栅的复合栅结构的IGBT芯片的制作方法，包括：在晶圆基片上刻蚀形成相邻的第一和第二沟槽，在第二沟槽形成第二沟槽栅极作为虚栅极，然后在形成通过多晶硅相连的第一沟槽栅极和平面栅极。虚栅极位于第一沟槽栅极和平面栅极之间并与...
该专利属于株洲中车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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