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本发明提供了一种基于大斜切角蓝宝石衬底外延生长氮化镓的方法，其包括步骤：S1、将斜切角大于0.2°的大斜切角蓝宝石衬底置于外延生长装置中，在大斜切角蓝宝石衬底上依次叠层生长成核层、非故意掺杂GaN层和第一层n型GaN；S2、向外延生长装置中...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学授权不得商用。