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本实用新型公开了一种圆片级背金芯片的封装结构，属于半导体封装技术领域。其硅基本体（10）的正面设有若干个芯片电极（11）、芯片绝缘层（14）和正面保护层（18），该正面保护层（18）覆盖芯片绝缘层（14）并开设正面保护层开口（181）再次露...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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