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本发明提供一种减少了外延缺陷的外延生长晶圆。该制造方法具备如下工序：获得在进行切片时的整个切断面不存在大面积位错缺陷的单晶硅锭的工序；将所述单晶硅锭进行切片，以在其表面进行镜面抛光而获得晶圆基板的工序；及在所述晶圆基板的表面使硅单晶的膜生长...
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