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本发明涉及一种片状纳米碳化硅的制备方法。其制备方法包括步骤：(1)将膨胀石墨和硅源按一定比例置入坩埚中；(2)在流动的氩气中，将装有原料的坩埚置入高温炉中进行高温碳热还原反应，反应结束后将反应炉降到室温得到反应产物；(3)将反应产物用氢氟酸...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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